Thèse : Intégration de matériaux semi-conducteurs III-V dans des filières de fabrication silicium avancées pour imagerie proche infrarouge

Soutenance de thèse : Florian Le GOFF

Équipe : MaCEPV

Titre : Intégration de matériaux semi-conducteurs III-V dans des filières de fabrication silicium avancées pour imagerie proche infrarouge

Résumé : Afin de réaliser des imageurs proche infrarouge bas-coût, la méthode d’hybridation entre le circuit de détection sensible au rayonnement et le circuit de lecture doit être modifiée. La solution présentée durant cette thèse est de transférer les structures III-V absorbantes directement sur le circuit de lecture par un collage moléculaire permettant la fabrication collective des matrices. Cela demande le développement d’une nouvelle architecture pour la connexion au circuit de lecture et la formation des diodes. Elle consiste en la réalisation de via de connexion à partir desquels un dopage localisé est produit formant des diodes circulaires autour de chaque via appelées LoopHoles. Ce dopage est réalisé par diffusion MOVPD dont la température ne doit pas dépasser 400°C. Malgré des phénomènes physiques parasites il a été possible de réaliser dans l’InP et l’InGaAs des jonctions p-n adaptées. Des groupes de diodes LoopHoles sur substrat InP et sur matériaux reportés ont pu être mesurées.

Cette thèse a été dirigée par Daniel Mathiot, professeur à l'Université de Strasbourg et co-encadrée par Jean-Luc Reverchon du laboratoire III-V Lab, dans le cadre d'un contrat CIFRE avec THALES R&T.

Elle se déroulera devant un jury composé de rapporteurs : Isabelle SAGNES (DR CNRS au C2N) et Olivier GRAVRAND (Chercheur HDR au CEA-LETI), d'examinateurs : Rose-Marie SAUVAGE (DGA) et Wilfried UHRING (Pr, ICube), d'encadrants : Jean-Luc REVERCHON et Daniel Mathiot et d'un invité : Thierry COLLIN (Ing. SOFRADIR).

La soutenance, effectuée en français, aura lieu le jeudi 9 novembre 2017 à 13h30 en salle 40 du Bâtiment 40 du campus de Cronenbourg.