Évolution des activités de l'implanteur de la plateforme C3Fab
Les travaux autour de l’implanteur 200 Kilovolts du plateau de production de faisceaux d’ions ACACIA de C3Fab sont terminés. L’installation est désormais capable de fournir une énergie minimale de 1 kiloélectronvolt, 20 fois moins que précédemment, pour les éléments de la masse 1 à la masse 130 soit de l’Hydrogène au Tellure. La tension d’accélération maximale est quant à elle restée inchangée. Cette évolution ouvre des champs de recherche novateurs vers les phénomènes physico chimiques à l’échelle nanométrique, 2 à 5 nanomètres pour les dopants du Silicium par exemple.
Ces transformations qui ont aussi permis de moderniser le contrôle-commande, le pompage et la station de distribution des gaz de source ont pu être menés à bien grâce au dernier contrat de plan état région.
©ICube/C3Fab - Terminal Haute Tension côté source d’ions et tube accélérateur
©ICube/C3Fab - Ecran de contrôle commande et terminal haute tension côté source d’ions
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