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ICube   >   Actualités : Évolution des activités de l'implanteur de la plateforme C3Fab

Évolution des activités de l'implanteur de la plateforme C3Fab

déc. 6 2016

Les travaux autour de l’implanteur 200 Kilovolts du plateau de production de faisceaux d’ions ACACIA de C3Fab sont terminés. L’installation est désormais capable de fournir une énergie minimale de 1 kiloélectronvolt, 20 fois moins que précédemment, pour les éléments de la masse 1 à la masse 130 soit de l’Hydrogène au Tellure. La tension d’accélération maximale est quant à elle restée inchangée. Cette évolution ouvre des champs de recherche novateurs vers les phénomènes physico chimiques à l’échelle nanométrique, 2 à 5 nanomètres pour les dopants du Silicium par exemple.

Ces transformations qui ont aussi permis de moderniser le contrôle-commande, le pompage et la station de distribution des gaz de source ont pu être menés à bien grâce au dernier contrat de plan état région.

Terminal Haute Tension côté source d’ions et tube accélérateur

©ICube/C3Fab - Terminal Haute Tension côté source d’ions et tube accélérateur

Ecran de contrôle commande et terminal haute tension côté source d’ions

©ICube/C3Fab - Ecran de contrôle commande et terminal haute tension côté source d’ions

 

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